عرضه حافظه های فلش جدید با استفاده از فناوری ۱۹ نانومتری
دو شرکت تولیدکننده سخت افزارهای رایانه ای با همکاری هم درتلاشند تا با استفاده از فناوری ۱۹ نانومتری، حافظه های فلش جدیدی را تا سه ماهه دوم سال ۲۰۱۱ عرضه کنند.
شرکت اینتل در روزهای گذشته حافظه های فلش "ناند" جدیدی را برپایه فناوری ۲۰ نانومتری معرفی کرد.
اکنون شرکت ژاپنی توشیبا با هدف حفظ بازار رقابت با اینتل در همکاری با شرکت "سن دیسک" قصد دارد حافظه های فلش ناند ۱۹ نانومتری را ارائه کند.
این حافظه های فلش ناند که تا پایان سه ماهه دوم ۲۰۱۱ وارد بازار می شوند می توانند ابزاری ایده آل برای ساخت حافظه های داخلی دستگاههای قابل حملی چون تلفنهای همراه هوشمند و تبلتها باشند.
در مرحله اول عرضه این حافظه های جدید ۱۹ نانومتری، تنها حافظه های فلش ناند ۲ بیتی برای هر پیل ارائه می شود و از نیمه دوم سال جاری نسخه های ۳ بیتی برای هر پیل نیز تولید خواهد شد.
هر ماژول این حافظه ها ۶۴ گیگابایت را عرضه می کنند و با ترکیب حافظه های بیشتر می توان ظرفیت ذخیره سازی را افزایش داد.
به طوریکه با ترکیب ۱۶ واحد می توان یک ماژول با حجم ۱۲۸ گیگابایت را به دست آورد.
در فضایی که سخنرانان، فقط سخنرانی می کنند و آداب سخندانی را نمی دانند که یکی از این آداب گوش دادن به حرف دیگران است این وبلاگ گوش شنوایی خواهد بود برای تمامی مشکلات و انشاءالله در حد توان انعکاس دهنده مشکلات مردم در تمامی زمینه ها. پس شما نیز مشکلات خود را با ما در میان بگذارید و ما را از انتقادات و پیشنهادات گوهربار خود بی بهره نگذارید تا عیبهایمان بیش از پیش هویدا نگردد.